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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesBSM50GD120DN2G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSM50GD120DN2G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSM50GD120DN2G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSM50GD120DN2G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MOD 1200V 78A 400W
Description détaillée
Emballage
Module
Fiche technique
BSM50GD120DN2G.pdf
En stock: 4220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSM50GD120DN2G
Infineon Technologies - BSM50GD120DN2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSM50GD120DN2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A  
Package composant fournisseur Module  
Séries -  
Puissance - Max 400 W  
Package / Boîte Module  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 33 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT -  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 78 A  
Configuration Full Bridge  
Numéro de produit de base BSM50G  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSM50GD120DN2G

Attributs du produit BSM50GD120DN2G BSM50GD170DL BSM50GD120_B10 BSM50GD120DN2-E3226
Modèle de produit BSM50GD120DN2G BSM50GD170DL BSM50GD120_B10 BSM50GD120DN2-E3226
Fabricant Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) INF Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Contribution Standard - - -
Emballer Bulk - - -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A - - -
type de IGBT - - - -
Type de montage Chassis Mount - - -
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 33 nF @ 25 V - - -
NTC thermistance No - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 78 A - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Numéro de produit de base BSM50G - - -
Séries - - - -
Package / Boîte Module - - -
Package composant fournisseur Module - - -
Puissance - Max 400 W - - -
Configuration Full Bridge - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V - - -

Fiche technique BSM50GD120DN2G PDF

Téléchargez BSM50GD120DN2G PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSM50GD120DN2G - Infineon Technologies.

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Assemblage / origine PCN
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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