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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSL302SNH6327XTSA1
BSL302SNH6327XTSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSL302SNH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSL302SNH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSL302SNH6327XTSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
BSL302SN.pdf
État RoHS
En stock: 4490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSL302SNH6327XTSA1
Infineon Technologies - BSL302SNH6327XTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSL302SNH6327XTSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 30µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TSOP6-6  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.1A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSL302SNH6327XTSA1

Attributs du produit BSL302SNH6327XTSA1 BSL307SP BSL303SPEH6327 BSL303SPE
Modèle de produit BSL302SNH6327XTSA1 BSL307SP BSL303SPEH6327 BSL303SPE
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 15 V 805 pF @ 25 V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 5 V 29 nC @ 10 V - -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V - -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - -
type de FET N-Channel P-Channel - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Package composant fournisseur PG-TSOP6-6 PG-TSOP6-6 - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.1A (Ta) 5.5A (Ta) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V 43mOhm @ 5.5A, 10V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 30µA 2V @ 40µA - -

Fiche technique BSL302SNH6327XTSA1 PDF

Téléchargez BSL302SNH6327XTSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSL302SNH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
BSL302SN.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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