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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSL215CH6327XTSA1
BSL215CH6327XTSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSL215CH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSL215CH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSL215CH6327XTSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
BSL215CH6327XTSA1.pdf
État RoHS
En stock: 175650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSL215CH6327XTSA1
Infineon Technologies - BSL215CH6327XTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSL215CH6327XTSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TSOP6-6  
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Puissance - Max 500mW  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A  
Configuration N and P-Channel Complementary  
Numéro de produit de base BSL215  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSL215CH6327XTSA1

Attributs du produit BSL215CH6327XTSA1 BSL214NL6327HTSA1 BSL214NL6327 BSL215C
Modèle de produit BSL215CH6327XTSA1 BSL214NL6327HTSA1 BSL214NL6327 BSL215C
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Configuration N and P-Channel Complementary 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V 143pF @ 10V 143pF @ 10V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 3.7µA -
Puissance - Max 500mW 500mW 500mW -
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate -
Package composant fournisseur PG-TSOP6-6 PG-TSOP6-6 PG-TSOP6-6 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A 1.5A 1.5A -
Numéro de produit de base BSL215 BSL214 BSL214 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V -
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 4.5V 0.8nC @ 5V 0.8nC @ 5V -

Fiche technique BSL215CH6327XTSA1 PDF

Téléchargez BSL215CH6327XTSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSL215CH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Packing Box Chg 18/Oct/2019.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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