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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSD223P L6327
BSD223P L6327 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSD223P L6327 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSD223P L6327
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSD223P L6327
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Description détaillée
Emballage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
BSD223P.pdf
En stock: 4210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSD223P L6327
Infineon Technologies - BSD223P L6327 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSD223P L6327

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT363-PO  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V  
Puissance - Max 250mW  
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 390mA  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base BSD223  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSD223P L6327

Attributs du produit BSD223P L6327 BSD223P BSD235NH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Modèle de produit BSD223P L6327 BSD223P BSD235NH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur PG-SOT363-PO PG-SOT363-PO PG-SOT363-PO PG-SOT363-6-1
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2 OptiMOS™
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numéro de produit de base BSD223 BSD223 BSD235 BSD235
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 350mOhm @ 950mA, 4.5V 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 15V 56pF @ 15V 63pF @ 10V 47pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V 0.62nC @ 4.5V 0.32nC @ 4.5V 0.34nC @ 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 390mA 390mA 950mA 950mA, 530mA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 250mW 250mW 500mW 500mW
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 1.6µA 1.2V @ 1.6µA

Fiche technique BSD223P L6327 PDF

Téléchargez BSD223P L6327 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSD223P L6327 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 30/Nov/2011.pdf
Feuilles de données
BSD223P.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-BSD223P L6327

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