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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC118N10NSG
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC118N10NSG - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC118N10NSG
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC118N10NSG
Modèle ECAD
Description des pièces
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSC118N10NSG.pdf
En stock: 4990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC118N10NSG
Infineon Technologies - BSC118N10NSG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC118N10NSG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 70µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-1  
Séries OptiMOS™ 2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 114W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 71A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC118N10NSG

Attributs du produit BSC118N10NSG BSC119N03MSCG BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N06NS3GATMA1
Modèle de produit BSC118N10NSG BSC119N03MSCG BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N06NS3GATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 71A (Tc) 11A (Ta), 39A (Tc) 76A (Tc) 50A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 8V, 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 70µA 2V @ 250µA 4.6V @ 91µA 4V @ 23µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 50A, 10V 11.9mOhm @ 30A, 10V 11mOhm @ 38A, 10V 11mOhm @ 50A, 10V
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8-5
Dissipation de puissance (max) 114W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 50 V 1500 pF @ 15 V 2770 pF @ 75 V 2700 pF @ 30 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 150 V 60 V
Séries OptiMOS™ 2 OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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