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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC0924NDIATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC0924NDIATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC0924NDIATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSC0924NDIATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 54480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies - BSC0924NDIATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC0924NDIATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TISON-8  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 4.5V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A, 32A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numéro de produit de base BSC0924  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC0924NDIATMA1

Attributs du produit BSC0924NDIATMA1 BSC093N15NS5 E8196 BSC093N04LSGATMA1 BSC0911ND
Modèle de produit BSC0924NDIATMA1 BSC093N15NS5 E8196 BSC093N04LSGATMA1 BSC0911ND
Fabricant Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA - 2V @ 14µA -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 15V - 1900 pF @ 20 V -
Fonction FET Logic Level Gate, 4.5V Drive - - -
Type de montage Surface Mount - Surface Mount -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Emballer Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) -
Puissance - Max 1W - - -
Package / Boîte 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN -
Tension drain-source (Vdss) 30V - 40 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A, 32A - 13A (Ta), 49A (Tc) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Package composant fournisseur PG-TISON-8 - PG-TDSON-8-5 -
Séries OptiMOS™ - OptiMOS™ -
Numéro de produit de base BSC0924 - BSC093 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V - 9.3mOhm @ 40A, 10V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V - 24 nC @ 10 V -

Fiche technique BSC0924NDIATMA1 PDF

Téléchargez BSC0924NDIATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSC0924NDIATMA1 - Infineon Technologies.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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