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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC080N03MSG
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC080N03MSG - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC080N03MSG
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC080N03MSG
Modèle ECAD
Description des pièces
BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
BSC080N03MSG.pdf
En stock: 5150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC080N03MSG
Infineon Technologies - BSC080N03MSG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC080N03MSG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie -  
Package composant fournisseur -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte -  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage -  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
type de FET -  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC080N03MSG

Attributs du produit BSC080N03MSG BSC080N12LSGATMA1 BSC079N03SG BSC0802LSATMA1
Modèle de produit BSC080N03MSG BSC080N12LSGATMA1 BSC079N03SG BSC0802LSATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) - 120 V 30 V 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 8mOhm @ 50A, 10V 7.9mOhm @ 40A, 10V 3.4mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max) - 156W (Tc) 2.8W (Ta), 60W (Tc) 156W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id - 2.4V @ 112µA 2V @ 30µA 2.3V @ 115µA
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 79 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 46 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur - PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-7
type de FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 7400 pF @ 60 V 2230 pF @ 15 V 6500 pF @ 50 V
Fonction FET - - - -
Type de montage - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 12A (Ta), 99A (Tc) 14.6A (Ta), 40A (Tc) 20A (Ta), 100A (Tc)
Package / Boîte - 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V

Mode de transport

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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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