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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC065N06LS5ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC065N06LS5ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC065N06LS5ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSC065N06LS5ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 50660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies - BSC065N06LS5ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC065N06LS5ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-6  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 32A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  
Numéro de produit de base BSC065  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC065N06LS5ATMA1

Attributs du produit BSC065N06LS5ATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 BSC060N10NS3G MOS
Modèle de produit BSC065N06LS5ATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 BSC060N10NS3G MOS
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 68 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Numéro de produit de base BSC065 BSC060 BSC067 -
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 20µA 3.5V @ 90µA 2.2V @ 35µA -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 30 V 4900 pF @ 50 V 5100 pF @ 30 V -
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 14.9A (Ta), 90A (Tc) 15A (Ta), 50A (Tc) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 32A, 10V 6mOhm @ 50A, 10V 6.7mOhm @ 50A, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

Fiche technique BSC065N06LS5ATMA1 PDF

Téléchargez BSC065N06LS5ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSC065N06LS5ATMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022.pdf
Autres documents connexes
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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