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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC0502NSIATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC0502NSIATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC0502NSIATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSC0502NSIATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 67630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies - BSC0502NSIATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC0502NSIATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-6  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 43W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta), 100A (Tc)  
Numéro de produit de base BSC0502  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC0502NSIATMA1

Attributs du produit BSC0502NSIATMA1 BSC050N03LSGATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC0503NSIATMA1
Modèle de produit BSC0502NSIATMA1 BSC050N03LSGATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC0503NSIATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 30A, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 4.7mOhm @ 50A, 10V 3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V 2800 pF @ 15 V 4800 pF @ 40 V 1300 pF @ 15 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta), 100A (Tc) 18A (Ta), 80A (Tc) 18A (Ta), 100A (Tc) 22A (Ta), 88A (Tc)
Numéro de produit de base BSC0502 BSC050 BSC047 BSC0503
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 80 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 43W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.5V @ 90µA 2V @ 250µA

Fiche technique BSC0502NSIATMA1 PDF

Téléchargez BSC0502NSIATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSC0502NSIATMA1 - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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