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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC042NE7NS3G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC042NE7NS3G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC042NE7NS3G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC042NE7NS3G
Modèle ECAD
Description des pièces
BSC042NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
BSC042NE7NS3G.pdf
En stock: 3820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC042NE7NS3G
Infineon Technologies - BSC042NE7NS3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC042NE7NS3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie -  
Package composant fournisseur -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte -  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage -  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
type de FET -  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC042NE7NS3G

Attributs du produit BSC042NE7NS3G BSC047N08NS3GATMA1 BSC042NE7NS3 BSC043N03MSCG
Modèle de produit BSC042NE7NS3G BSC047N08NS3GATMA1 BSC042NE7NS3 BSC043N03MSCG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Dissipation de puissance (max) - 2.5W (Ta), 125W (Tc) - -
Vgs (th) (Max) @ Id - 3.5V @ 90µA - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 4.7mOhm @ 50A, 10V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 69 nC @ 10 V - -
Type de montage - Surface Mount - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 4800 pF @ 40 V - -
Tension drain-source (Vdss) - 80 V - -
type de FET - N-Channel - -
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Vgs (Max) - ±20V - -
Package / Boîte - 8-PowerTDFN - -
Package composant fournisseur - PG-TDSON-8-1 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 6V, 10V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 18A (Ta), 100A (Tc) - -
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) - -
Fonction FET - - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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