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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSC011N03LSTATMA1
BSC011N03LSTATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSC011N03LSTATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSC011N03LSTATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSC011N03LSTATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSC011N03LSTATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 27059

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSC011N03LSTATMA1
Infineon Technologies - BSC011N03LSTATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC011N03LSTATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8 FL  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 115W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 39A (Ta), 100A (Tc)  
Numéro de produit de base BSC011  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC011N03LSTATMA1

Attributs du produit BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 BSC012N06NSATMA1
Modèle de produit BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 BSC012N06NSATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 3.3V @ 147µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 39A (Ta), 100A (Tc) 37A (Ta), 100A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc) 36A (Ta), 306A (Tc)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 115W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 214W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 15 V 4700 pF @ 15 V 4300 pF @ 20 V 11000 pF @ 30 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 40 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 30A, 10V 1.1mOhm @ 30A, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base BSC011 BSC011 BSC014 BSC012
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-1 SuperSO8 PG-TSON-8-3
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V 72 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V

Fiche technique BSC011N03LSTATMA1 PDF

Téléchargez BSC011N03LSTATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSC011N03LSTATMA1 - Infineon Technologies.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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