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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSB056N10NN3GXUMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSB056N10NN3GXUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSB056N10NN3GXUMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Description détaillée
Emballage
3-WDSON
Fiche technique
BSB056N10NN3GXUMA1.pdf
État RoHS
En stock: 17482

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies - BSB056N10NN3GXUMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSB056N10NN3GXUMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)  
Package / Boîte 3-WDSON  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 83A (Tc)  
Numéro de produit de base BSB056  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1

Attributs du produit BSB056N10NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 BSB165N15NZ3G BSB053N03LPG
Modèle de produit BSB056N10NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 BSB165N15NZ3G BSB053N03LPG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 10V 8V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA 4V @ 102µA 4V @ 110µA 2.2V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 83A (Tc) 22A (Ta), 90A (Tc) 9A (Ta), 45A (Tc) 17A (Ta), 71A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 150 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base BSB056 BSB028 - -
Package / Boîte 3-WDSON 3-WDSON DirectFET™ Isometric MZ 3-WDSON
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 50 V 12000 pF @ 30 V 2800 pF @ 75 V 2700 pF @ 15 V
Package composant fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2-9 MG-WDSON-2, CanPAK M™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V 2.8mOhm @ 30A, 10V 16.5mOhm @ 30A, 10V 5.3mOhm @ 30A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS® OptiMOS™
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique BSB056N10NN3GXUMA1 PDF

Téléchargez BSB056N10NN3GXUMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSB056N10NN3GXUMA1 - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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