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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - RFBFR360L3E6765
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BFR360L3E6765 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BFR360L3E6765
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BFR360L3E6765
Modèle ECAD
Description des pièces
LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Description détaillée
Emballage
SC-101, SOT-883
Fiche technique
BFR360L3E6765.pdf
En stock: 449850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BFR360L3E6765
Infineon Technologies - BFR360L3E6765 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BFR360L3E6765

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 9V  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur PG-TSLP-3-1  
Séries -  
Puissance - Max 210mW  
Package / Boîte SC-101, SOT-883  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Noise Figure (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz  
Type de montage Surface Mount  
Gain 11.5dB ~ 16dB  
Fréquence - Transition 14GHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 15mA, 3V  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BFR360L3E6765

Attributs du produit BFR360L3E6765 BFR35APE6327 BFR380FH6327XTSA1 BFR380FE6327
Modèle de produit BFR360L3E6765 BFR35APE6327 BFR380FH6327XTSA1 BFR380FE6327
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 15mA, 3V 70 @ 15mA, 8V 90 @ 40mA, 3V 90 @ 40mA, 3V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fréquence - Transition 14GHz 5GHz 14GHz 14GHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Transistor Type NPN NPN NPN NPN
Puissance - Max 210mW 280mW 380mW 380mW
Gain 11.5dB ~ 16dB 16dB 9.5dB ~ 13.5dB 9.5dB ~ 13.5dB
Noise Figure (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 9V 15V 9V 9V
Séries - Automotive, AEC-Q101 - -
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35mA 45mA 80mA 80mA
Package composant fournisseur PG-TSLP-3-1 PG-SOT23-3-11 PG-TSFP-3 PG-TSFP-3
Package / Boîte SC-101, SOT-883 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-723 SOT-723

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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