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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - RFBFP420E6327
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BFP420E6327 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BFP420E6327
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BFP420E6327
Modèle ECAD
Description des pièces
RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Description détaillée
Emballage
SC-82A, SOT-343
Fiche technique
BFP420E6327.pdf
État RoHS
En stock: 210750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BFP420E6327
Infineon Technologies - BFP420E6327 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BFP420E6327

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 5V  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur PG-SOT343-4  
Séries -  
Puissance - Max 160mW  
Package / Boîte SC-82A, SOT-343  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz  
Type de montage Surface Mount  
Gain 21dB  
Fréquence - Transition 25GHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 4V  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BFP420E6327

Attributs du produit BFP420E6327 BFP420FH6327 BFP420FH6327XTSA1 BFP420H6433
Modèle de produit BFP420E6327 BFP420FH6327 BFP420FH6327XTSA1 BFP420H6433
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte SC-82A, SOT-343 4-SMD, Flat Leads 4-SMD, Flat Leads SC-82A, SOT-343
Fréquence - Transition 25GHz 25GHz 25GHz 25GHz
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz 0.9dB ~ 2.2dB @ 150MHz ~ 5.5GHz 1.1dB @ 1.8GHz 1.1dB @ 1.8GHz
Séries - - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 4V 60 @ 5mA, 4V 60 @ 5mA, 4V 60 @ 20mA, 4V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 5V 4.5V 5.5V 4.5V
Gain 21dB 37dB 19.5dB 21dB
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35mA 60mA 35mA 60mA
Transistor Type NPN NPN NPN NPN
Package composant fournisseur PG-SOT343-4 4-TSFP 4-TSFP PG-SOT343-4-2
Puissance - Max 160mW 210mW 160mW 210mW

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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