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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséBCR183WE6327
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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BCR183WE6327 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BCR183WE6327
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BCR183WE6327
Modèle ECAD
Description des pièces
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
BCR183WE6327.pdf
Notre certification
En stock: 4910

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques BCR183WE6327
Infineon Technologies - BCR183WE6327 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BCR183WE6327

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type PNP - Pre-Biased  
Package composant fournisseur PG-SOT323-3-1  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms  
Résistance - Base (R1) 10 kOhms  
Puissance - Max 250 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Bulk  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 200 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  
Numéro de produit de base BCR183  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS N'est pas applicable
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BCR183WE6327

Attributs du produit BCR183WE6327 BCR185E6327 BCR185 E6327 BCR183T
Modèle de produit BCR183WE6327 BCR185E6327 BCR185 E6327 BCR183T
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 50 V - -
Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA - -
Séries - Automotive, AEC-Q101 - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms 47 kOhms - -
Résistance - Base (R1) 10 kOhms 10 kOhms - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA 100 mA - -
Emballer Bulk Bulk - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Fréquence - Transition 200 MHz 200 MHz - -
Package composant fournisseur PG-SOT323-3-1 PG-SOT23-3-1 - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V 70 @ 5mA, 5V - -
Puissance - Max 250 mW 200 mW - -
Package / Boîte SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Numéro de produit de base BCR183 BCR185 - -

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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