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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleBC858AE6327HTSA1
BC858AE6327HTSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BC858AE6327HTSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BC858AE6327HTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BC858AE6327HTSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
BC858AE6327HTSA1.pdf
État RoHS
En stock: 729950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BC858AE6327HTSA1
Infineon Technologies - BC858AE6327HTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BC858AE6327HTSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur PG-SOT23  
Séries -  
Puissance - Max 330 mW  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  
Numéro de produit de base BC858  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BC858AE6327HTSA1

Attributs du produit BC858AE6327HTSA1 BC858AW BC858AW BC858ALT1G
Modèle de produit BC858AE6327HTSA1 BC858AW BC858AW BC858ALT1G
Fabricant Infineon Technologies Yangjie Technology Diotec Semiconductor onsemi
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30 V 30 V 30 V 30 V
Fréquence - Transition 250MHz 100MHz 100MHz 100MHz
Numéro de produit de base BC858 - - BC858
Puissance - Max 330 mW 200 mW 200 mW 300 mW
Package composant fournisseur PG-SOT23 SOT-323 SOT-323 SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V 125 @ 2mA, 5V 125 @ 2mA, 5V 125 @ 2mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor Type PNP PNP PNP PNP
Séries - - - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique BC858AE6327HTSA1 PDF

Téléchargez BC858AE6327HTSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BC858AE6327HTSA1 - Infineon Technologies.

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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