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AUIRLL014NTR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRLL014NTR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRLL014NTR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRLL014NTR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
AUIRLL014N.pdf
État RoHS
En stock: 4250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRLL014NTR
Infineon Technologies - AUIRLL014NTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRLL014NTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT223-4  
Séries Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRLL014NTR

Attributs du produit AUIRLL014NTR AUIRL7732S2TR AUIRLL024N AUIRL7766M2TR
Modèle de produit AUIRLL014NTR AUIRL7732S2TR AUIRLL024N AUIRL7766M2TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 2.2W (Ta), 41W (Tc) 1W (Ta) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 50µA 2V @ 250µA 2.5V @ 150µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 14A (Ta) 3.1A (Ta) 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2A, 10V 6.6mOhm @ 35A, 10V 65mOhm @ 3.1A, 10V 10mOhm @ 31A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 55 V 40 V 55 V 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA DirectFET™ Isometric SC TO-261-4, TO-261AA DirectFET™ Isometric M4
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 2020 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 5305 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Package composant fournisseur PG-SOT223-4 DIRECTFET™ SC SOT-223 DirectFET™ Isometric M4
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 33 nC @ 4.5 V 15.6 nC @ 5 V 66 nC @ 4.5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V

Fiche technique AUIRLL014NTR PDF

Téléchargez AUIRLL014NTR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRLL014NTR - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
AUIRLL014N.pdf

Mode de transport

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Brésil 7
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Italie 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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