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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRFS3107-7TRL
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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AUIRFS3107-7TRL - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRFS3107-7TRL
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFS3107-7TRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Fiche technique
AUIRFS3107-7P.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 8147

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFS3107-7TRL
Infineon Technologies - AUIRFS3107-7TRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRFS3107-7TRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 160A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 240A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRFS3107-7TRL

Attributs du produit AUIRFS3107-7TRL AUIRFS3206TRL AUIRFS3207Z AUIRFS3004-7P
Modèle de produit AUIRFS3107-7TRL AUIRFS3206TRL AUIRFS3207Z AUIRFS3004-7P
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 240A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 240A (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead) D2PAK D2PAK PG-TO263-7
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 50 V 6540 pF @ 50 V 6920 pF @ 50 V 9130 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 380W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 75 V 60 V 75 V 40 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 160A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V

Fiche technique AUIRFS3107-7TRL PDF

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Conception / spécification PCN
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Assemblage / origine PCN
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Feuilles de données
AUIRFS3107-7P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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