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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRFR1018E
AUIRFR1018E Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRFR1018E - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRFR1018E
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFR1018E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
AUIRFR1018E.pdf
État RoHS
En stock: 4950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFR1018E
Infineon Technologies - AUIRFR1018E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRFR1018E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc)  
Numéro de produit de base AUIRFR1018  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRFR1018E

Attributs du produit AUIRFR1018E AUIRFR1010ZTRL AUIRFP4310Z AUIRFR120Z
Modèle de produit AUIRFR1018E AUIRFR1010ZTRL AUIRFP4310Z AUIRFR120Z
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V 100 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 140W (Tc) 278W (Tc) 35W (Tc)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Séries HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V 7.5mOhm @ 42A, 10V 6mOhm @ 77A, 10V 190mOhm @ 5.2A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V 2840 pF @ 25 V 7120 pF @ 50 V 310 pF @ 25 V
Numéro de produit de base AUIRFR1018 - - -
Package composant fournisseur D-Pak D-PAK (TO-252AA) PG-TO247-3 D-Pak
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 150µA 4V @ 25µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc) 42A (Tc) 128A (Tc) 8.7A (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 188 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique AUIRFR1018E PDF

Téléchargez AUIRFR1018E PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRFR1018E - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
AUIRFR1018E.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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