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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRFL014N
AUIRFL014N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRFL014N - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRFL014N
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRFL014N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
AUIRFL014N.pdf
En stock: 5400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRFL014N
Infineon Technologies - AUIRFL014N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRFL014N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRFL014N

Attributs du produit AUIRFL014N AUIRFB8409 AUIRFL014NTR AUIRFB8407
Modèle de produit AUIRFL014N AUIRFB8409 AUIRFL014NTR AUIRFB8407
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.9V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.9A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 160mOhm @ 1.9A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-220-3 TO-261-4, TO-261AA TO-220-3
Package composant fournisseur SOT-223 TO-220AB SOT-223 TO-220AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V 190 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 40 V 55 V 40 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta) 195A (Tc) 1.5A (Ta) 195A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 375W (Tc) 1W (Ta) 230W (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique AUIRFL014N PDF

Téléchargez AUIRFL014N PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRFL014N - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 04/Apr/2014.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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