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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxAUIRF9952Q
AUIRF9952Q Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF9952Q - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRF9952Q
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF9952Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
AUIRF9952Q.pdf
En stock: 5080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF9952Q
Infineon Technologies - AUIRF9952Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRF9952Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A, 2.3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base AUIRF9952  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRF9952Q

Attributs du produit AUIRF9952Q AUIRF9540N AUIRFB4410 AUIRF8736
Modèle de produit AUIRF9952Q AUIRF9540N AUIRFB4410 AUIRF8736
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier NA
Configuration N and P-Channel - - -
Puissance - Max 2W - - -
Numéro de produit de base AUIRF9952 - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V 97 nC @ 10 V - -
Package composant fournisseur 8-SO TO-220 - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA - -
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Type de montage Surface Mount Through Hole - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V 1300 pF @ 25 V - -
Emballer Tube Bulk Bulk -
Tension drain-source (Vdss) 30V 100 V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A, 2.3A 23A (Tc) - -
Séries HEXFET® Automotive, AEC-Q101 * -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V 117mOhm @ 11A, 10V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -

Fiche technique AUIRF9952Q PDF

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Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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