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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single64-2096PBF
64-2096PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

64-2096PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
64-2096PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-64-2096PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Fiche technique
64-2096PBF.pdf
En stock: 5150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 64-2096PBF
Infineon Technologies - 64-2096PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - 64-2096PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 110A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF2907  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies 64-2096PBF

Attributs du produit 64-2096PBF APT10M07JVFR IXTX5N250 FQP3P20
Modèle de produit 64-2096PBF APT10M07JVFR IXTX5N250 FQP3P20
Fabricant Infineon Technologies Microchip Technology IXYS onsemi
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead) ISOTOP® PLUS247™-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V 21600 pF @ 25 V 8560 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Séries HEXFET® POWER MOS V® - QFET®
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±30V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) - 960W (Tc) 52W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 5mA 5V @ 1mA 5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A (Tc) 225A (Tc) 5A (Tc) 2.8A (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 75 V 100 V 2500 V 200 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 1050 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRF2907 APT10M07 IXTX5 FQP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 110A, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 8.8Ohm @ 2.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V

Fiche technique 64-2096PBF PDF

Téléchargez 64-2096PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour 64-2096PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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