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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableaux2N7002DWH6327XTSA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
2N7002DWH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-2N7002DWH6327XTSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Description détaillée
Emballage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
2N7002DWH6327XTSA1.pdf
État RoHS
En stock: 441810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2N7002DWH6327XTSA1
Infineon Technologies - 2N7002DWH6327XTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - 2N7002DWH6327XTSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT363-PO  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V  
Puissance - Max 500mW  
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base 2N7002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1

Attributs du produit 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DW-7-G 2N7002DWAQ-7 2N7002DWS-7
Modèle de produit 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DW-7-G 2N7002DWAQ-7 2N7002DWS-7
Fabricant Infineon Technologies Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V - 0.87nC @ 10V 0.4nC @ 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA - 180mA (Ta) 247mA (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V - 22pF @ 25V 41pF @ 25V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Séries OptiMOS™ * - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) - - 2 N-Channel (Dual)
Puissance - Max 500mW - 300mW 290mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 60V - 60V 60V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base 2N7002 2N7002 - 2N7002
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA - 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V - 6Ohm @ 115mA, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V
Fonction FET Logic Level Gate - Standard -
Package composant fournisseur PG-SOT363-PO - SOT-363 SOT-363

Fiche technique 2N7002DWH6327XTSA1 PDF

Téléchargez 2N7002DWH6327XTSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour 2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Chgs 2/Feb/2023.pdf
Emballage PCN
Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016.pdf

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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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