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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2N7002-G
2N7002-G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2N7002-G - Comchip Technology

Fabricant Modèle de produit
2N7002-G
Fabricant
Comchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-2N7002-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
2N7002-G Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 5140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2N7002-G
Comchip Technology - 2N7002-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Comchip Technology - 2N7002-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Comchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 250mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta)  
Numéro de produit de base 2N7002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Comchip Technology 2N7002-G

Attributs du produit 2N7002-G 2N7002-7-F 2N7002-G 2N7002-G
Modèle de produit 2N7002-G 2N7002-7-F 2N7002-G 2N7002-G
Fabricant Comchip Technology Diodes Incorporated Fairchild Semiconductor onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta) 370mW (Ta) 200mW (Tc) 200mW (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta) 115mA (Ta) 115mA (Tc) 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 250mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V 7.5Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 10 V - - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base 2N7002 2N7002 2N7002 2N7002
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

Fiche technique 2N7002-G PDF

Téléchargez 2N7002-G PDF DataSheets et Documentation Comchip Technology pour 2N7002-G - Comchip Technology.

Informations environnementales
Comchip Technology RoHS Cert.pdf
Emballage PCN
Label D/C Chg 24/Mar/2016.pdf
Feuilles de données
2N7002-G Datasheet.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 22/Jul/2019.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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