Spécifications techniques MPQ3906
Central Semiconductor - MPQ3906 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Central Semiconductor - MPQ3906
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
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Fabricant | Central Semiconductor | |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 40V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
Transistor Type | 4 PNP (Quad) | |
Package composant fournisseur | TO-116 | |
Séries | - | |
Puissance - Max | 500mW | |
Emballage | Tube | |
Package / Boîte | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | |
Autres noms | MPQ3906 PBFREE Q12139904 |
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
---|---|---|
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Request inventory verification / Request inventory verification | |
Fréquence - Transition | 200MHz | |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 40V 200mA 200MHz 500mW Through Hole TO-116 | |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 1V | |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Central Semiconductor MPQ3906
Attributs du produit | ![]() |
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Modèle de produit | MPQ3906 | MPQ3762 | MPQ3904 | MPQ3725 |
Fabricant | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Package / Boîte | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Autres noms | MPQ3906 PBFREE Q12139904 |
- | MPQ3904 PBFREE | MPQ3725 PBFREE |
Type de montage | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Package composant fournisseur | TO-116 | TO-116 | TO-116 | TO-116 |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 1V | - | 75 @ 10mA, 1V | 35 @ 100mA, 1V |
Transistor Type | 4 PNP (Quad) | 4 PNP (Quad) | 4 NPN (Quad) | 4 NPN (Quad) |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 40V | 40V | 40V | 40V |
Emballage | Tube | Tube | Tube | Tube |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA | - | 200mA | 1A |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | 500nA (ICBO) |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 40V 200mA 200MHz 500mW Through Hole TO-116 | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 40V 150MHz 3W Through Hole TO-116 | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 200mA 250MHz 500mW Through Hole TO-116 | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 1A 250MHz 1W Through Hole TO-116 |
Séries | - | - | - | - |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Request inventory verification / Request inventory verification | Contains lead / RoHS non-compliant | Request inventory verification / Request inventory verification | Request inventory verification / Request inventory verification |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | - | 200mV @ 1mA, 10mA | 450mV @ 50mA, 500mA |
Fréquence - Transition | 200MHz | 150MHz | 250MHz | 250MHz |
Puissance - Max | 500mW | 3W | 500mW | 1W |
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Pays communs Référence du temps logistique | ||
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Région | Pays | Heure logistique (jour) |
Amérique | États-Unis | 5 |
Brésil | 7 | |
L'Europe | Allemagne | 5 |
Royaume-Uni | 4 | |
Italie | 5 | |
Océanie | Australie | 6 |
Nouvelle-Zélande | 5 | |
Asie | Inde | 4 |
Japon | 4 | |
Moyen-Orient | Israël | 6 |
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
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Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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