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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - tableauxMPQ2222A
MPQ2222A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MPQ2222A - Central Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MPQ2222A
Fabricant
Central Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MPQ2222A
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS 4NPN 40V 0.5A
Description détaillée
Emballage
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Fiche technique
MPQ2222(A).pdf
En stock: 9886

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MPQ2222A
Central Semiconductor - MPQ2222A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Central Semiconductor - MPQ2222A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Central Semiconductor  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA  
Transistor Type 4 NPN (Quad)  
Package composant fournisseur TO-116  
Séries -  
Puissance - Max 650mW  
Emballage Tube  
Package / Boîte 14-DIP (0.300", 7.62mm)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)  
Statut sans plomb / Statut RoHS Request inventory verification / Request inventory verification  
Fréquence - Transition 200MHz  
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Central Semiconductor MPQ2222A

Attributs du produit MPQ2222A MPQ2222 MPQ2369 MPQ2179GQHE-AEC1-Z
Modèle de produit MPQ2222A MPQ2222 MPQ2369 MPQ2179GQHE-AEC1-Z
Fabricant Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Monolithic Power Systems Inc.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 1.6V @ 30mA, 300mA 250mV @ 1mA, 10mA -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Emballage Tube Tube Tube -
Séries - - - Automotive, AEC-Q100
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) 1 (Unlimited) 1 (Unlimited) -
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 15V 500mA 450MHz 500mW Through Hole TO-116 -
Package / Boîte 14-DIP (0.300", 7.62mm) 14-DIP (0.300", 7.62mm) 14-DIP (0.300", 7.62mm) 8-VFDFN
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40V 40V 15V -
Fréquence - Transition 200MHz 200MHz 450MHz -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA 500mA 500mA -
Puissance - Max 650mW 650mW 500mW -
Transistor Type 4 NPN (Quad) 4 NPN (Quad) 4 NPN (Quad) -
Statut sans plomb / Statut RoHS Request inventory verification / Request inventory verification Lead free / RoHS Compliant Contains lead / RoHS non-compliant -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10nA (ICBO) 50nA (ICBO) 400nA (ICBO) -
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-116 TO-116 TO-116 8-QFN (2x1.5)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V 20 @ 100mA, 2V -

Fiche technique MPQ2222A PDF

Téléchargez MPQ2222A PDF DataSheets et Documentation Central Semiconductor pour MPQ2222A - Central Semiconductor.

Livret des spécifications
MPQ2222(A).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MPQ2222A

Central Semiconductor
32D-MPQ2222A

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