Spécifications techniques 2N3117
Central Semiconductor - 2N3117 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Central Semiconductor - 2N3117
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
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Fabricant | Central Semiconductor | |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA | |
Transistor Type | NPN | |
Package composant fournisseur | TO-18 | |
Séries | - | |
Puissance - Max | 360mW | |
Emballage | Bulk | |
Package / Boîte | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | |
Autres noms | 2N3117 LEAD FREE 2N3117 PBFREE |
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
---|---|---|
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks | |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Fréquence - Transition | - | |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 | |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10µA, 5V | |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) | |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 50mA |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Central Semiconductor 2N3117
Attributs du produit | ||||
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Modèle de produit | 2N3117 | 2N3251A | 2N3117 | 2N3250A |
Fabricant | Central Semiconductor | Microsemi Corporation | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Microchip Technology |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V | 60 V | - | 60 V |
Fréquence - Transition | - | - | - | - |
Puissance - Max | 360mW | 360 mW | - | 360 mW |
Autres noms | 2N3117 LEAD FREE 2N3117 PBFREE |
- | 2N3117-DIE 2N3117MT 2N3117MT-ND FC2N3117 FC2N3117-ND |
- |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10µA, 5V | 100 @ 10mA, 1V | - | 50 @ 10mA, 1V |
Type de montage | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA | 500mV @ 5mA, 50mA | - | 500mV @ 5mA, 50mA |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 | - | Bipolar (BJT) Transistor | - |
Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks | - | 4 Weeks | - |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) | 10µA (ICBO) | - | 10µA (ICBO) |
Package / Boîte | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | - | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 50mA | 200 mA | - | 200 mA |
Emballage | Bulk | - | - | - |
Package composant fournisseur | TO-18 | TO-39 (TO-205AD) | - | TO-39 (TO-205AD) |
Séries | - | - | * | - |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | - | 3 (168 Hours) | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Transistor Type | NPN | PNP | - | PNP |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | Lead free / RoHS Compliant | - |
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Pays communs Référence du temps logistique | ||
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Région | Pays | Heure logistique (jour) |
Amérique | États-Unis | 5 |
Brésil | 7 | |
L'Europe | Allemagne | 5 |
Royaume-Uni | 4 | |
Italie | 5 | |
Océanie | Australie | 6 |
Nouvelle-Zélande | 5 | |
Asie | Inde | 4 |
Japon | 4 | |
Moyen-Orient | Israël | 6 |
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
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Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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