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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOWF11C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOWF11C60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOWF11C60
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOWF11C60
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
TO262F Pkg Drawing.pdf
AOWF11C60.pdf
En stock: 4450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOWF11C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOWF11C60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOWF11C60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262F  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 28W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base AOWF11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF11C60

Attributs du produit AOWF11C60 AOW7S65 AOWF11N70 AOWF10N65
Modèle de produit AOWF11C60 AOW7S65 AOWF11N70 AOWF10N65
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 28W (Tc) 104W (Tc) 28W (Tc) 25W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 7A (Tc) 11A (Tc) 10A (Tc)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V 434 pF @ 100 V 2150 pF @ 25 V 1645 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V 650mOhm @ 3.5A, 10V 870mOhm @ 5.5A, 10V 1Ohm @ 5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-262F TO-262 TO-262F TO-262F
Séries - aMOS™ - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 650 V 700 V 650 V
Numéro de produit de base AOWF11 AOW7 AOWF11 AOWF10

Fiche technique AOWF11C60 PDF

Téléchargez AOWF11C60 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOWF11C60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Feuilles de données
TO262F Pkg Drawing.pdf AOWF11C60.pdf
PCN Obsolescence / EOL
OBS 13/Jun/2016.pdf

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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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