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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOTF600A60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOTF600A60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOTF600A60L
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOTF600A60L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 8A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
AOT(F)600A60L, AOB600A60L.pdf
État RoHS
En stock: 47920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOTF600A60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF600A60L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF600A60L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F  
Séries aMOS5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 27.5W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 608 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tj)  
Numéro de produit de base AOTF600  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF600A60L

Attributs du produit AOTF600A60L AOTF7N60FD AOTF5N100 AOTF7N70
Modèle de produit AOTF600A60L AOTF7N60FD AOTF5N100 AOTF7N70
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tj) 7A (Tc) 4A (Tc) 7A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 1000 V 700 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Numéro de produit de base AOTF600 AOTF7 AOTF5 AOTF7
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries aMOS5™ - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 608 pF @ 100 V 995 pF @ 25 V 1150 pF @ 25 V 1175 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 27.5W (Tc) 39W (Tc) 42W (Tc) 38.5W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 4.2V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V 1.45Ohm @ 3.5A, 10V 4.2Ohm @ 2.5A, 10V 1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -

Fiche technique AOTF600A60L PDF

Téléchargez AOTF600A60L PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOTF600A60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Comp Chg 3/Oct/2020.pdf Mult Dev Datasheet Rev 25/Nov/2020.pdf
Feuilles de données
AOT(F)600A60L, AOB600A60L.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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