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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOTF18N65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOTF18N65L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOTF18N65L
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOTF18N65L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF18N65(L).pdf
État RoHS
En stock: 4230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOTF18N65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF18N65L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF18N65L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3785 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  
Numéro de produit de base AOTF18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF18N65L

Attributs du produit AOTF18N65L AOTF160A60L AOTF20C60PL AOTF190A60L
Modèle de produit AOTF18N65L AOTF160A60L AOTF20C60PL AOTF190A60L
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Package composant fournisseur TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Séries - aMOS5™ - aMOS5™
Fonction FET - - - Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 12A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA 5V @ 250µA 4.6V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 34.7W (Tc) 45W (Tc) 32W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3785 pF @ 25 V 2340 pF @ 100 V 3607 pF @ 100 V 1935 pF @ 100 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base AOTF18 AOTF160 AOTF20 AOTF190
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 24A (Tj) 20A (Tc) 20A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique AOTF18N65L PDF

Téléchargez AOTF18N65L PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOTF18N65L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informations environnementales
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Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Molding Chg 8/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
TO220F Pkg Drawing.pdf AOTF18N65(L).pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 3/Jul/2020.pdf

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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