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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOTF10T60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOTF10T60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOTF10T60
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOTF10T60
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
TO220F Pkg Drawing.pdf
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOT(F)10T60.pdf
En stock: 4930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOTF10T60
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10T60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10T60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base AOTF10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10T60

Attributs du produit AOTF10T60 AOTF10N90 AOTF11C60 AOTF10T60P
Modèle de produit AOTF10T60 AOTF10N90 AOTF11C60 AOTF10T60P
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 900 V 600 V 600 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V 980mOhm @ 5A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 700mOhm @ 5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 11A (Tc) 10A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base AOTF10 AOTF10 AOTF11 AOTF10
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) 43W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 100 V 3160 pF @ 25 V 2010 pF @ 50 V 1595 pF @ 100 V

Fiche technique AOTF10T60 PDF

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Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220F Pkg Drawing.pdf TO220F Pkg Drawing.pdf AOT(F)10T60.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL Notice 22/Mar/2017.pdf

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Brésil 7
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Royaume-Uni 4
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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