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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOT8N65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOT8N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOT8N65
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOT8N65
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOT(F)8N65(L).pdf
État RoHS
En stock: 57420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOT8N65
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT8N65 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT8N65

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 208W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base AOT8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT8N65

Attributs du produit AOT8N65 AOT8N80L AOT7S60L AOT9N50
Modèle de produit AOT8N65 AOT8N80L AOT7S60L AOT9N50
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 372 pF @ 100 V 1042 pF @ 25 V
Séries - - aMOS™ -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 4A, 10V 1.63Ohm @ 4A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 850mOhm @ 4.5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Numéro de produit de base AOT8 AOT8 AOT7 AOT9
Dissipation de puissance (max) 208W (Tc) 245W (Tc) 104W (Tc) 192W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 650 V 800 V 600 V 500 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 7.4A (Tc) 7A (Tc) 9A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3.9V @ 250µA 4.5V @ 250µA

Fiche technique AOT8N65 PDF

Téléchargez AOT8N65 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOT8N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220 Pkg Drawing.pdf AOT(F)8N65(L).pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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