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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOT482L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOT482L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOT482L
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOT482L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOx482L.pdf
État RoHS
En stock: 38599

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOT482L
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT482L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT482L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SDMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 333W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4870 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 105A (Tc)  
Numéro de produit de base AOT482  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT482L

Attributs du produit AOT482L AOT474 AOT500 AOT4S60L
Modèle de produit AOT482L AOT474 AOT500 AOT4S60L
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Séries SDMOS™ - - aMOS™
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 105A (Tc) 9A (Ta), 127A (Tc) 80A (Tc) 4A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 80 V 75 V 33 V 600 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 333W (Tc) 1.9W (Ta), 417W (Tc) 115W (Tc) 83W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4870 pF @ 40 V 3370 pF @ 30 V 5500 pF @ 15 V 263 pF @ 100 V
Numéro de produit de base AOT482 AOT47 AOT5 AOT4
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7V, 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V 11.3mOhm @ 30A, 10V 5.3mOhm @ 30A, 10V 900mOhm @ 2A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V - ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique AOT482L PDF

Téléchargez AOT482L PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOT482L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220 Pkg Drawing.pdf AOx482L.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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