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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOT430
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOT430 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOT430
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOT430
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 80A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220 Pkg Drawing.pdf
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOT430.pdf
État RoHS
En stock: 69440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOT430
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT430 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT430

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 268W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base AOT43  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT430

Attributs du produit AOT430 AOT440 AOT424 AOT42S60L
Modèle de produit AOT430 AOT440 AOT424 AOT42S60L
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 75 V 40 V 30 V 600 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 15.5A (Ta), 105A (Tc) 110A (Tc) 37A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries - SDMOS™ - aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 30A, 10V 4.7mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 99mOhm @ 21A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA 3.8V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 30 V 5600 pF @ 20 V 4400 pF @ 15 V 2154 pF @ 100 V
Numéro de produit de base AOT43 AOT44 AOT42 AOT42
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 268W (Tc) 2.1W (Ta), 150W (Tc) 100W (Tc) 417W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

Fiche technique AOT430 PDF

Téléchargez AOT430 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOT430 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220 Pkg Drawing.pdf TO220 Pkg Drawing.pdf AOT430.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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