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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOT11N70
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOT11N70 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOT11N70
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOT11N70
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 700V 11A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOT(F)11N70(L).pdf
État RoHS
En stock: 39020

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOT11N70
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT11N70 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT11N70

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 870mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 271W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 700 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base AOT11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT11N70

Attributs du produit AOT11N70 AOT11C60 AOT11C60PL AOT1100L
Modèle de produit AOT11N70 AOT11C60 AOT11C60PL AOT1100L
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 271W (Tc) 278W (Tc) 298W (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc) 8A (Ta), 130A (Tc)
Numéro de produit de base AOT11 AOT11 AOT11 AOT11
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 870mOhm @ 5.5A, 10V 440mOhm @ 5.5A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 12mOhm @ 20A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 700 V 600 V 600 V 100 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V 2000 pF @ 100 V 2333 pF @ 100 V 4833 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique AOT11N70 PDF

Téléchargez AOT11N70 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOT11N70 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220 Pkg Drawing.pdf AOT(F)11N70(L).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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