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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAONS66402
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AONS66402 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AONS66402
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AONS66402
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 49A/85A
Description détaillée
Emballage
8-PowerSMD, Flat Leads
Fiche technique
AONS66402.pdf
État RoHS
En stock: 42360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AONS66402
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONS66402 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONS66402

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6)  
Séries AlphaSGT™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 6.2W (Ta), 119W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerSMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5570 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Ta), 85A (Tc)  
Numéro de produit de base AONS664  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS66402

Attributs du produit AONS66402 AONS66406 AONS62602 AONV210A60
Modèle de produit AONS66402 AONS66406 AONS62602 AONV210A60
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Numéro de produit de base AONS664 AONS664 AONS626 AONV210
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries AlphaSGT™ AlphaSGT™ AlphaSGT™ aMOS5™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5570 pF @ 20 V 1480 pF @ 20 V 5630 pF @ 30 V 1935 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 20A, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 210mOhm @ 7.6A, 10V
Dissipation de puissance (max) 6.2W (Ta), 119W (Tc) 5W (Ta), 36.5W (Tc) 7.3W (Ta), 208W (Tc) 8.3W (Ta), 208W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Ta), 85A (Tc) 22A (Ta), 30A (Tc) 41A (Ta), 85A (Tc) 4.1A (Ta), 20A (Tc)
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 4-DFN (8x8)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 600 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerSMD, Flat Leads 4-PowerTSFN
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique AONS66402 PDF

Téléchargez AONS66402 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AONS66402 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Feuilles de données
AONS66402.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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