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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAONR21307
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AONR21307 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AONR21307
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AONR21307
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
AONR21307 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 153800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AONR21307
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR21307 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR21307

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-DFN-EP (3x3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 5W (Ta), 28W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1995 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base AONR213  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21307

Attributs du produit AONR21307 AONR32314 AONR32320C AONR21305C
Modèle de produit AONR21307 AONR32314 AONR32320C AONR21305C
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 17A, 10V 8.7mOhm @ 17A, 10V 21mOhm @ 9.5A, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Dissipation de puissance (max) 5W (Ta), 28W (Tc) 4.1W (Ta), 24W (Tc) 3.1W (Ta), 11W (Tc) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1995 pF @ 15 V 1420 pF @ 15 V 650 pF @ 15 V -
Package composant fournisseur 8-DFN-EP (3x3) 8-DFN (3x3) 8-DFN-EP (3x3) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Numéro de produit de base AONR213 AONR323 AONR32320 AONR213
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.3V @ 250µA -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V -
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-SMD, Flat Lead 8-PowerVDFN -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 17A (Ta), 30A (Tc) 9.5A (Ta), 12A (Tc) -
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V -

Fiche technique AONR21307 PDF

Téléchargez AONR21307 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AONR21307 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 22/Jan/2020.pdf
Feuilles de données
AONR21307 Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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