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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxAON5820
AON5820 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AON5820 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AON5820
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AON5820
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Description détaillée
Emballage
6-WFDFN Exposed Pad
Fiche technique
AON5820.pdf
État RoHS
En stock: 137250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AON5820
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5820 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5820

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-DFN-EP (2x5)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 4.5V  
Puissance - Max 1.7W  
Package / Boîte 6-WFDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base AON582  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5820

Attributs du produit AON5820 AON5802A AON5810 AON5802ALS
Modèle de produit AON5820 AON5802A AON5810 AON5802ALS
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 20V -
Numéro de produit de base AON582 AON5802 AON581 AON5802
Package / Boîte 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 10V 1115pF @ 15V 1360pF @ 10V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain -
Package composant fournisseur 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A 7.2A 7.7A -
Puissance - Max 1.7W 1.7W 1.6W -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 4.5V 20mOhm @ 7.2A, 4.5V 18mOhm @ 7.7A, 4.5V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Séries - - - *
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 10.7nC @ 4.5V 13.1nC @ 4.5V -

Fiche technique AON5820 PDF

Téléchargez AON5820 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AON5820 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018.pdf
Feuilles de données
AON5820.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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