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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAON2408
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AON2408 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AON2408
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AON2408
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N CH 20V 8A DFN 2X2B
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
AON2408.pdf
État RoHS
En stock: 153280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AON2408
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2408 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2408

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-DFN (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta)  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 782 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta)  
Numéro de produit de base AON24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2408

Attributs du produit AON2408 AON2707 AON2401 AON2403
Modèle de produit AON2408 AON2707 AON2401 AON2403
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 8A, 4.5V 117mOhm @ 4A, 10V 22mOhm @ 8A, 2.5V 21mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±5V ±8V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta) 2.8W (Ta) 2.8W (Ta) 2.8W (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 8 V 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 782 pF @ 10 V 305 pF @ 15 V 1465 pF @ 4 V 1370 pF @ 6 V
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - Schottky Diode (Isolated) - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V 12 nC @ 10 V 18 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta) 4A (Ta) 8A (Ta) 8A (Ta)
Numéro de produit de base AON24 AON27 AON24 AON24
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 650mV @ 250µA 900mV @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 10V 1.2V, 2.5V 1.5V, 4.5V

Fiche technique AON2408 PDF

Téléchargez AON2408 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AON2408 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assem/Test Site Chg 12/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
AON2408.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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