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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOI4T60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOI4T60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOI4T60
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOI4T60
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Fiche technique
TO251A Pkg Drawing.pdf
AOD4T60/AOI4T60.pdf
En stock: 4860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOI4T60
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI4T60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI4T60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251A  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base AOI4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4T60

Attributs du produit AOI4T60 AOI4S60 AOI514 AOI4N60
Modèle de produit AOI4T60 AOI4S60 AOI514 AOI4N60
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 30 V 600 V
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 56.8W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 104W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 17A (Ta), 46A (Tc) 4A (Tc)
Numéro de produit de base AOI4 AOI4 AOI51 AOI4
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - aMOS™ - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 100 V 263 pF @ 100 V 1187 pF @ 15 V 640 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 1A, 10V 900mOhm @ 2A, 10V 5.9mOhm @ 20A, 10V 2.3Ohm @ 2A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V

Fiche technique AOI4T60 PDF

Téléchargez AOI4T60 PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AOI4T60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Feuilles de données
TO251A Pkg Drawing.pdf AOD4T60/AOI4T60.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL 26/Jan/2016.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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