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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAOD2N100M
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AOD2N100M - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AOD2N100M
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AOD2N100M
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH TO252
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
AOD2N100M.pdf
En stock: 4130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AOD2N100M
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD2N100M Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD2N100M

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur -  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -  
Type de montage -  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Numéro de produit de base AOD2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2N100M

Attributs du produit AOD2N100M AOD380A60C AOD2910E AOD3C50
Modèle de produit AOD2N100M AOD380A60C AOD2910E AOD3C50
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Package composant fournisseur - TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK)
Type de montage - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) - ±30V - ±30V
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id - 3.8V @ 250µA - 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 380mOhm @ 5.5A, 10V - 1.4Ohm @ 2.2A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) - 125W (Tc) - 83W (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 10V - 10V
Numéro de produit de base AOD2 AOD380 AOD291 AOD3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Séries - aMOS5™ - -
type de FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 11A (Tc) 37A (Tc) 3A (Tc)
Package / Boîte - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique AOD2N100M PDF

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Informations environnementales
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Mult Devices EOL 08/May/2018.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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