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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAS2302
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AS2302 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Fabricant Modèle de produit
AS2302
Fabricant
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Allelco Modèle de produit
32D-AS2302
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
AS2302.pdf
État RoHS
En stock: 815150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AS2302
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2302 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2302

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.81 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302

Attributs du produit AS2302 AS2324 AS2333E AS236-321LF
Modèle de produit AS2302 AS2324 AS2333E AS236-321LF
Fabricant ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Artesyn Embedded Power Skyworks Solutions, Inc.
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 100 V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V 280mOhm @ 2A, 10V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V - -
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 1.2W (Ta) - -
Vgs (Max) ±10V ±20V - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Package composant fournisseur SOT-23 SOT-23 - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.81 nC @ 4.5 V 5.3 nC @ 10 V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 10 V 330 pF @ 50 V - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta) 2A (Ta) - -

Fiche technique AS2302 PDF

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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