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SMUN5313DW1T3G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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SMUN5313DW1T3G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
SMUN5313DW1T3G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-SMUN5313DW1T3G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
MUN5313DW1, NSBC144EPDxx.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 423480

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SMUN5313DW1T3G
onsemi - SMUN5313DW1T3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - SMUN5313DW1T3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms  
Résistance - Base (R1) 47kOhms  
Puissance - Max 187mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition -  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base SMUN5313  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi SMUN5313DW1T3G

Attributs du produit SMUN5313DW1T3G SMUN5230DW1T1G SMUN5335DW1T2G SMUN5235DW1T1G
Modèle de produit SMUN5313DW1T3G SMUN5230DW1T1G SMUN5335DW1T2G SMUN5235DW1T1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V 3 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 187mW 187mW 187mW 187mW
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms 1kOhms 47kOhms 47kOhms
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Fréquence - Transition - - - -
Numéro de produit de base SMUN5313 SMUN5230 SMUN5335 SMUN5235
Résistance - Base (R1) 47kOhms 1kOhms 2.2kOhms 2.2kOhms
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 50V 50V 50V

Fiche technique SMUN5313DW1T3G PDF

Téléchargez SMUN5313DW1T3G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour SMUN5313DW1T3G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Bond Wire 15/Feb/2019.pdf
Feuilles de données
MUN5313DW1, NSBC144EPDxx.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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