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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleSMSD602-RT1G
SMSD602-RT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SMSD602-RT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
SMSD602-RT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-SMSD602-RT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN 50V 0.5A SC59
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
MSD602-RT1G.pdf
État RoHS
En stock: 426050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SMSD602-RT1G
onsemi - SMSD602-RT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - SMSD602-RT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur SC-59  
Séries -  
Puissance - Max 200 mW  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition -  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500 mA  
Numéro de produit de base SMSD602  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi SMSD602-RT1G

Attributs du produit SMSD602-RT1G SMSD1819A-RT1G SMSZ1013T1G SMSF1231XT1G
Modèle de produit SMSD602-RT1G SMSD1819A-RT1G SMSZ1013T1G SMSF1231XT1G
Fabricant onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi AMI Semiconductor/onsemi
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 50 V - -
Fréquence - Transition - - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V 210 @ 2mA, 10V - -
Puissance - Max 200 mW 150 mW - -
Package composant fournisseur SC-59 SC-70-3 (SOT323) - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500 mA 100 mA - -
Transistor Type NPN NPN - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA 500mV @ 10mA, 100mA - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 - -
Température de fonctionnement - 150°C (TJ) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk - -
Numéro de produit de base SMSD602 - - -
Séries - - - -

Fiche technique SMSD602-RT1G PDF

Téléchargez SMSD602-RT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour SMSD602-RT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
MSD602-RT1G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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SMSD602-RT1G

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