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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4532DY
SI4532DY Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4532DY - onsemi

Fabricant Modèle de produit
SI4532DY
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-SI4532DY
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 3.9/3.5A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4532DY.pdf
État RoHS
En stock: 81050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4532DY
onsemi - SI4532DY Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - SI4532DY

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.9A, 10V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.9A, 3.5A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SI4532  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi SI4532DY

Attributs du produit SI4532DY SI4532DY SI4532CDY-T1-GE3 SI4532ADY-T1-E3
Modèle de produit SI4532DY SI4532DY SI4532CDY-T1-GE3 SI4532ADY-T1-E3
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Numéro de produit de base SI4532 SI4532 SI4532 SI4532
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.9A, 3.5A 3.9A, 3.5A 6A, 4.3A 3.7A, 3A
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 15nC @ 10V 9nC @ 10V 16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 10V 235pF @ 10V 305pF @ 15V -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.9A, 10V 65mOhm @ 3.9A, 10V 47mOhm @ 3.5A, 10V 53mOhm @ 4.9A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 900mW 900mW 2.78W 1.13W, 1.2W
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - Logic Level Gate
Séries - - TrenchFET® TrenchFET®
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

Fiche technique SI4532DY PDF

Téléchargez SI4532DY PDF DataSheets et Documentation onsemi pour SI4532DY - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev Retraction 14/Jan/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Korea Fab Site Add 3/Jan/2017.pdf
Feuilles de données
SI4532DY.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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