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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI4410DY
SI4410DY Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4410DY - onsemi

Fabricant Modèle de produit
SI4410DY
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-SI4410DY
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4410DY.pdf
En stock: 4450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4410DY
onsemi - SI4410DY Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - SI4410DY

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  
Numéro de produit de base SI441  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi SI4410DY

Attributs du produit SI4410DY SI4410BDY-T1-GE3 SI4410BDY-T1-E3 SI4410DY
Modèle de produit SI4410DY SI4410BDY-T1-GE3 SI4410BDY-T1-E3 SI4410DY
Fabricant onsemi Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base SI441 SI4410 SI4410 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V - - 1350 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 1.4W (Ta) 1.4W (Ta) 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 7.5A (Ta) 7.5A (Ta) 10A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 60 nC @ 10 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V 13.5mOhm @ 10A, 10V 13.5mOhm @ 10A, 10V 13.5mOhm @ 10A, 10V
Séries PowerTrench® TrenchFET® TrenchFET® PowerTrench®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique SI4410DY PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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