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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSGP10N60RUFDTU
SGP10N60RUFDTU Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SGP10N60RUFDTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
SGP10N60RUFDTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-SGP10N60RUFDTU
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 16A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
SGP10N60RUFD.pdf
État RoHS
En stock: 5490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SGP10N60RUFDTU
onsemi - SGP10N60RUFDTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - SGP10N60RUFDTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A  
Condition de test 300V, 10A, 20Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/36ns  
énergie de commutation 141µJ (on), 215µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 60 ns  
Puissance - Max 75 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 30 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 30 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 16 A  
Numéro de produit de base SGP10N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi SGP10N60RUFDTU

Attributs du produit SGP10N60RUFDTU SGP20N60HS SGP13N60UFDTU SGP07N120XKSA1
Modèle de produit SGP10N60RUFDTU SGP20N60HS SGP13N60UFDTU SGP07N120XKSA1
Fabricant onsemi Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies
Numéro de produit de base SGP10N60 SGP20N SGP13N60 SGP07N
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 1200 V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/36ns 18ns/207ns 20ns/70ns 27ns/440ns
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Condition de test 300V, 10A, 20Ohm, 15V 400V, 20A, 16Ohm, 15V 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V 800V, 8A, 47Ohm, 15V
Séries - - - -
gate charge 30 nC 100 nC 25 nC 70 nC
Puissance - Max 75 W 178 W 60 W 125 W
Temps de recouvrement inverse (trr) 60 ns - 55 ns -
énergie de commutation 141µJ (on), 215µJ (off) 690µJ 85µJ (on), 95µJ (off) 1mJ
Package composant fournisseur TO-220-3 PG-TO220-3-1 TO-220-3 PG-TO220-3-1
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 30 A 80 A 52 A 27 A
type de IGBT - NPT - NPT
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A 3.15V @ 15V, 20A 2.6V @ 15V, 6.5A 3.6V @ 15V, 8A
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Collecteur (Ic) (max) 16 A 36 A 13 A 16.5 A
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique SGP10N60RUFDTU PDF

Téléchargez SGP10N60RUFDTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour SGP10N60RUFDTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf SGP10N60RUFD.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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