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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSCH2825-TL-E
SCH2825-TL-E Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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SCH2825-TL-E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
SCH2825-TL-E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-SCH2825-TL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 1.6A 6SCH
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
SCH2825.pdf
Notre certification
En stock: 4280

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SCH2825-TL-E
onsemi - SCH2825-TL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - SCH2825-TL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-SCH  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 800mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 600mW (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta)  
Numéro de produit de base SCH282  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi SCH2825-TL-E

Attributs du produit SCH2825-TL-E SCH3112-NU SCH3116-NU SCH3112I-NU
Modèle de produit SCH2825-TL-E SCH3112-NU SCH3116-NU SCH3112I-NU
Fabricant onsemi Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Numéro de produit de base SCH282 SCH3112 SCH3116 SCH3112
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 10 V - - -
Package composant fournisseur 6-SCH 128-VTQFP (14x14) 128-VTQFP (14x14) 128-VTQFP (14x14)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 800mA, 10V - - -
Dissipation de puissance (max) 600mW (Ta) - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V - - -
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tray Tray Tray
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) - - -
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads 128-TQFP 128-TQFP 128-TQFP
Séries - - - -
type de FET N-Channel - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TJ) - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta) - - -

Fiche technique SCH2825-TL-E PDF

Téléchargez SCH2825-TL-E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour SCH2825-TL-E - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 22/Dec/2017.pdf
Feuilles de données
SCH2825.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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