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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFP3055LE
RFP3055LE Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFP3055LE - onsemi

Fabricant Modèle de produit
RFP3055LE
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-RFP3055LE
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 11A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
RFD3055LE,LESM,%20RFP3055LE.pdf
En stock: 4170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFP3055LE
onsemi - RFP3055LE Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - RFP3055LE

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 8A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base RFP30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi RFP3055LE

Attributs du produit RFP3055LE RFP30N06LE RFP3055 RFP25N05L
Modèle de produit RFP3055LE RFP30N06LE RFP3055 RFP25N05L
Fabricant onsemi onsemi onsemi Harris Corporation
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc) 96W (Tc) 53W (Tc) 60W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 8A, 5V 47mOhm @ 30A, 5V 150mOhm @ 12A, 10V 47mOhm @ 25A, 5V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 5V 10V 4V, 5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 50 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 23 nC @ 20 V 80 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
Vgs (Max) ±16V +10V, -8V ±20V ±10V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 30A (Ta) 12A (Tc) 25A (Tc)
Numéro de produit de base RFP30 RFP30 RFP30 -

Fiche technique RFP3055LE PDF

Téléchargez RFP3055LE PDF DataSheets et Documentation onsemi pour RFP3055LE - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
RFD3055LE,LESM,%20RFP3055LE.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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