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AccueilCentre des produitsCapteurs, transducteursCapteurs optiques - PhotoInterrupters - Type de fente - sortie du transistorQVE00118
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QVE00118 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
QVE00118
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-QVE00118
Modèle ECAD
Description des pièces
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
Description détaillée
Emballage
Module, PC Pins, Slot Type
Fiche technique
QVE00118.pdf
En stock: 4540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QVE00118
onsemi - QVE00118 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - QVE00118

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30 V  
Type Unamplified  
Séries -  
Méthode de détection Through-Beam  
Distance de détection 0.197" (5mm)  
Temps de réponse 4µs, 4µs  
Package / Boîte Module, PC Pins, Slot Type  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Configuration de la sortie Phototransistor  
Température de fonctionnement -55°C ~ 100°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - DC Forward (If) (Max) 60 mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 20 mA  
Numéro de produit de base QVE001  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi QVE00118

Attributs du produit QVE00118 TCPT1350X01 ITR20403 TCST1103
Modèle de produit QVE00118 TCPT1350X01 ITR20403 TCST1103
Fabricant onsemi Vishay Semiconductor Opto Division Everlight Electronics Co Ltd Vishay Semiconductor Opto Division
Distance de détection 0.197" (5mm) 0.118' (3mm) 0.118' (3mm) 0.122" (3.1mm)
Séries - Automotive, AEC-Q101 - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 20 mA 20 mA 20 mA 4 mA
Numéro de produit de base QVE001 TCPT1350 - TCST1103
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Courant - DC Forward (If) (Max) 60 mA 15 mA 50 mA 60 mA
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Configuration de la sortie Phototransistor Phototransistor - Phototransistor
Méthode de détection Through-Beam Through-Beam Through-Beam Through-Beam
Temps de réponse 4µs, 4µs 9µs, 16µs 15µs 10µs, 8µs
Température de fonctionnement -55°C ~ 100°C -40°C ~ 125°C -25°C ~ 85°C -55°C ~ 85°C
Package / Boîte Module, PC Pins, Slot Type Module, Slotted Slotted Module Slotted Module, 4-Lead Dual Row
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30 V 20 V 30 V 70 V
Type Unamplified Unamplified Unamplified Unamplified

Fiche technique QVE00118 PDF

Téléchargez QVE00118 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour QVE00118 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
QVE00118.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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